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Efficacité énergétique

Garantissez des tests MOSFET Si, SiC et GaN sûrs, précis et rapides, dans les environnements de laboratoire et de test sur wafer. Découvrez les problématiques en matière de test découlant de l’adoption des matériaux SiC et GaN dans les conceptions actuelles, et apprenez comment y faire face. Découvrez comment réduire la consommation d’énergie et optimiser la durée de vie de la batterie sur vos produits finis. Réduisez le délai de mise sur le marché de vos conceptions.

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Caractérisation des dispositifs d’alimentation

  • Des tests MOSFET sûrs, précis et rapides pour les dispositifs Si, SiC et GaN
  • Large enveloppe de puissance
  • paramétrer votre test de façon sécurisée
  • Une durée de caractérisation de vos périphériques deux fois plus rapide, pour une mise sur le marché améliorée.
  • éviter une conception trop ambitieuse et coûteuse de votre composant à large bande interdite
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Test paramétrique automatisé

  • Test forte tension entièrement automatisé au niveau wafer
  • Naviguez entre les tests haute tension et les tests basse tension sans changer de configuration de test.
  • Mesurez la capacité sans avoir à effectuer de reconfiguration manuelle. Automatisation rapide
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Conversion d'énergie en SiC et GaN

  • Gérez les hautes tensions de mode commun.
  • Mesurez simultanément plusieurs signaux de contrôle et de temporisation.
  • Mesures automatiques de puissance plus rapides
  • Ne pas rater votre mise en conformité
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Optimisation de la durée de vie des batteries sur les appareils IoT

  • Déterminez le profil de courant de charge.
  • Simuler n’importe quelle batterie
  • Modéliser n’importe quel type de batterie

Analyse de la boucle de contrôle

  • Configuration de la mesure de la réponse avec un oscilloscope
  • Caractéristiques de la sonde pour les mesures de boucle de contrôle
  • Mesure des marges de stabilité avec des diagrammes de Bode
  • Système d'analyse de la boucle de contrôle

Mesure et analyse d’alimentations

  • Mesurer et analyser des pertes de commutation
  • Mesures de l’inductance et du transformateur sur circuit
  • Mesurer les circuits de commutation GaN et SiC
  • Zone de fonctionnement sûr (Safe Operating Area ou SOA)
  • Taux de réjection de l'alimentation
  • Réponse de la boucle de contrôle

Analyse de l'intégrité de l'alimentation dans un réseau de distribution d'alimentation

  • Mesure de l'ondulation haute fréquence sans blocage DC
  • Prise en charge d'alimentations entre 1 V et 48 V ou plus encore
  • Minimisez la contribution au bruit de votre système de mesure
  • Mesures d'impédance dans un réseau de distribution d'alimentation
  • Détection de bruit à l'aide de spectres et de signaux synchronisés
  • Mesures de rails d'alimentation automatisées

Mesures sur les entraînements à fréquence variable triphasés

  • Réalisation de mesures stables sur les entraînements moteur triphasés PWM
  • Diagrammes de phases réalisés à partir d'un oscilloscope
  • Mesure de l'efficacité du système
  • Mesures au niveau du bus CC
  • Prise en charge des configurations 2V2I, 3V3I star et delta, ainsi que de l'entrée CC/sortie triphasée.

Tendances en matière d’efficacité énergétique

Nos ingénieurs partagent leur expérience et vous expliquent pourquoi l’efficacité énergétique est devenue un critère de conception essentiel.

« Nous avons observé cette année un vrai tournant avec l’arrivée du carbure de silicium dans de nombreux produits grand public. »

Pat Hensley, Tektronix

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