Caractérisation des composants semiconducteurs de puissance, dont les composants à large bande interdite (SiC, GaN)

Safe, precise, fast MOSFET testing

Test MOSFET rapide, précis, sécurisé

Pour les périphériques Si, SiC et GaN

Temps de mise sur le marché plus rapide pour vos composants semiconducteurs de puissance

Les semiconducteurs à large bande (comme les SiC et GaN) sont maintenant utilisés avec le silicium traditionnel dans les applications exigeantes, comme l’automobile et les communications RF, parce qu’ils peuvent fonctionner à des fréquences, tensions et températures plus élevées, avec des pertes d’énergie moins élevées. En revanche, les améliorations des conceptions en silicium traditionnelles permettent de maintenir une forte proposition de valeur dans de nombreuses applications de marché étendu. Accélérez la mise sur le marché de vos composants semiconducteurs de puissance, tout en réduisant le nombre de défaillances des appareils sur le terrain.

Large enveloppe de puissance

La caractérisation manuelle des performances électriques de composants niveau wafer ou module nécessite l’apprentissage de nouvelles techniques, de l’équipement, et des stations sous pointes pour des mesures de bas niveau (par exemple un courant de fuite en pA en présence d’une forte baisse de tension). Fournit un courant maximum de 100 A et une tension maximale de 3 000 V, optimise les changements de paramétrage souvent complexes et chronophages entre les mesures de l’état passant (ON), de l’état non passant (OFF), et de la capacité avec les solutions de test de périphériques de puissance Keithley.

Paramétrage typique de mesure de l’état passant (ON).

paramétrer votre test de façon sécurisée

La cellule de test de composant haute puissance 8010 permet des connexions sécurisées et simples pour les tests de périphériques haute puissance, avec une puissance maximale de 3 kV ou 100 A.

Vous devez également paramétrer les tests de haute tension de façon sécurisée, et obtenir rapidement les résultats. Une conception manuelle nécessite une expertise en programmation, ainsi que la capacité de concevoir et construire un système conforme aux normes de sécurité. Vous n’avez pas besoin de vous en occuper vous-même. Obtenez des connexions sécurisées et simples pour tester des modules jusqu’à 3 000 V ou 100 A avec la cellule de test de composant haute puissance 8010. Effectuez des tests I-V classiques rapidement et facilement sans programmation ACS-BASIC.

Une durée de caractérisation de vos périphériques deux fois plus rapide, pour une mise sur le marché améliorée.

Pour les composants comme les Si et GaN traditionnels, nécessitant une enveloppe de puissance plus réduite, obtenez des résultats rapidement pour répondre aux demandes de mise sur le marché avec l’analyseur de paramètres 4200A, qui peut automatiser tout test de caractérisation jusqu’à 200 V et 1 A.

Analyseur de paramètres 4200A-SCS.

éviter une conception trop ambitieuse et coûteuse de votre composant à large bande interdite

Les mesures différentielles flottantes (telles que Vgs côté alimentation) sont difficiles, voire impossibles à réaliser, du fait de hautes fréquences (commutations rapides) et de la présence de tension de mode commun élevées (ex. Vds), car les sondes d’oscilloscope ne disposent pas d’une réjection de mode commun suffisante à des fréquences élevées. Du fait de cette faiblesse de la réjection de mode commun, les mesures sont dominées par l’erreur de mode commun au lieu du signal différentiel réel. Tektronix propose la seule solution du marché à offrir une sonde isolée (ISOVu) qui ne se déclasse pas aux fréquences requises pour le fonctionnement des composants GaN et SiC, ce qui vous permet de réaliser des mesures différentielles exactes. Vous pouvez ainsi prouver et calculer avec précision les pertes de conduction, les pertes de temps mort et les pertes de commutation. En outre, si vous n’utilisez pas de commande de grille intégrée, la fonction de mesure différentielle flottante vous permet de mesurer et de contrôler avec précision le temps mort de mise sous tension et d’arrêt sur votre composant. Cela vous évite également de surestimer les émissions haute fréquence des convertisseurs de puissance, un problème qui peut se produire du fait du courant et de la tension transitoires (dv/dt) générés durant les commutations.

Vous devez également tenir compte de l’impact de votre propre capacité avec des fréquences de commutation plus élevées. Une capacité excessive de la sonde résulte en un front montant arrondi au cours de la mesure, ce qui entraîne une perte importante de caractéristiques de commutation haute fréquence. De plus, l’ajout de la sonde aux signaux de grille flottante très sensibles peut entraîner des dommages au périphérique à cause de signaux transitoires provoqués par la charge de capacité. La faible capacité de la sonde ISOVu réduit également les problèmes de capacité de sonde au niveau de la grille, et les risques de dommage au périphérique à cause de signaux transitoires.

Grâce à la nouvelle sonde IsoVu de Tektronix, il est possible d’obtenir précisément la tension Vgs côté alimentation afin d’évaluer et d’optimiser les performances de commutation ainsi que la fiabilité, sans dégrader les dV/dt.

Téléchargements
Télécharger

Télécharger des manuels, des fiches techniques, des logiciels, etc. :

Go to top